多晶矽生產設備清洗的意義（yì）

多晶（jīng）矽按不同（tóng）的用途可分為太陽能級多晶矽和電子級多晶矽兩類。太陽能級多晶矽的純度一般在5～7N，主要雜質為Fe、Cr、Ni、Cu、Zn 等，金屬雜質總含量≤0.2(太陽（yáng）能三級品要求)。電子級多晶矽一（yī）般含Si＞99.9999%以上，超高純達到99.9999999%～99.999999999%，即9～11N，其（qí）導電性為10- 4～1010Ω·cm，碳濃（nóng）度＜2×1016at·cm- 3。

油脂、水分、氯離子殘留（liú）、金屬氧化物、氯化物、灰塵及其他（tā）雜質，對（duì）多晶矽的（de）純度影響極大。在多晶矽設備製（zhì）造、安（ān）裝和多晶矽生產過程中清洗是十分重要的部分，要按多晶矽生產工藝，對不同潔淨度要求、不同材質（zhì）的設備采用不同的清洗方（fāng）法。'
 
多晶矽設備的清洗的不（bú）同階段：

1、設備製造階（jiē）段的清洗

金屬設備及管道、零（líng）件（jiàn）需要在除漆前將表麵的氧化皮和鐵（tiě）鏽除掉，設（shè）備內部的油脂、軋製鱗（lín）片、鏽皮等（děng）也需要進行清洗。

2、多晶矽設備安裝階段的清潔（jié）

由（yóu）於工藝管道輸送的（de）介質特性及產品純度要求（qiú），對（duì）管道的焊接質量及內部清潔、吹掃試壓均有較高要求（qiú），對設備進場驗（yàn）收（shōu）、檢驗及安（ān）裝、內部處理也有較高要求，因此設備（bèi）製造結束後的清洗處理至（zhì）關重要。在裝置進行試生產前期（qī），係統注入四氯化（huà）矽進行循環清洗約2～3個月，時間的長短取決於設備前期清洗情況。

3、多晶矽設備生產期間的清洗

還原（yuán）爐和氫化爐（lú）是改良西門子法生產多晶矽的核（hé）心設備（bèi），其運（yùn）行好壞直接影響多晶矽質量及生（shēng）產成本。多晶矽生產對（duì）還原爐的沉積環境的潔淨度要（yào）求特別關鍵，任（rèn）何顆粒性雜質、油脂等物質餘留在（zài）爐內，都會對產品質量造成影響。北京www.91潔清潔（jié）設備（bèi）有限公司（sī）經過研（yán）發設計並製造（zào）出了多晶矽自動化還原爐鍾罩清洗係統，可以完全將多晶矽還原爐（lú）鍾罩清洗幹（gàn）淨，滿足生（shēng）產需求。

www.91潔電子級多晶矽還原（yuán）爐鍾罩清洗係統（tǒng）包括低壓熱水清洗動力裝置（zhì）、三維洗罐器、旋轉和升降執行機構、清洗工作台、萬級淨化幹燥係統、循環過濾係統、控製裝置、微負壓係統、清洗工作台、電氣控製係統等，係統實現了（le）鍾罩的全自動清洗和烘幹操作。
 
電子級多晶矽還原爐（lú）鍾罩（zhào）自動清洗係統特（tè）點：以水力自驅動三維洗（xǐ）罐器為噴頭，形成360° 3D形式的網狀噴射來（lái）完成爐筒內部（bù）表麵的水力掃射。配以旋轉和升降的清洗（xǐ）吹幹（gàn）執行（háng）機構，準確定位。操作簡單方便，係統（tǒng）控製（zhì），清洗（xǐ）、吹幹自行調整。不僅可以滿足對內壁和視孔（kǒng）鏡的清洗，同時（shí）也滿足了底部法蘭的清洗。

在整個還原爐的清洗過程中，清洗、幹（gàn）燥中筒內（nèi）形（xíng）成微負壓狀態，防止清洗外溢，同時將底座與筒體下法蘭處的汙（wū）染物等一並吹掃，通過排汙管排（pái）出，從而保證了整（zhěng）個過程（chéng）不會對潔淨區造成汙染。

生產多晶矽的工藝複雜，設備清洗是可以降低能耗保證多晶矽產品質量的。多晶矽生（shēng）產企業對設備須從（cóng）選型、選材、清洗等（děng）方（fāng）麵（miàn）進行（háng）合理（lǐ）、科學的管理，應用現代技術，進行全程（chéng）清洗，以充分發揮設備功效（xiào），為安全、高效生產創造條件。